韩公布首份10年晶片制霸蓝图

韩国周二（9日）公布首份“10年晶片制霸蓝图”，旨在日益激烈的全球竞争中强化下一代记忆体和逻辑晶片。

根据10年研发蓝图，科学和信息通信技术部概述在下一代记忆体和逻辑晶片，以及先进封装3个领域的技术进步目标。工信部誓言支持半导体业生产更快、更节能和更高容量的晶片，保持产业在全球主导地位，并使在先进逻辑晶片领域获得竞争优势。

有关蓝图也是与美国和日本最近就晶片、显示器和电池领域的研发合作达成的协议后续措施。由科学部领导的公私协商小组于同一天成立，以联系和促进政府、行业利益相关者和学术界之间的合作。

在研发蓝图下，旨在开发下一代记忆体晶片、铁电随机存取记忆体（Ferroelectric RAM）、磁阻式随机存取记忆体磁（magnetic RAM）、相变RAM（phase-change RAM）和ReRAM，或可变电阻式记忆体。

基于高密度和低功耗晶片电路小型化竞争的加剧，促使三星电子和台积电等领先制造商开发3奈米晶片。

工信部表示，对于更窄、更高效的晶片，这些公司在努力克服目前开发半导体的局限性，同时也在寻找提高耐用性和可重复性的方法。

未来十年，韩国还将制定在人工智慧、6G、电力和汽车领域的晶片设计原创技术，以及超微晶片和先进封装的原创技术的目标。（互联网照片）