三星拟斥资400亿 在美设晶片厂

（首尔23日讯）外电引述消息人士报道，韩国三星电子（Samsung）正考虑斥资超过100亿美元（约400亿令吉），在美国得克萨斯州设立先进的逻辑晶片制造厂，以赶上行业领导者台积电。

据报，三星希望在得州新厂生产最先进的3纳米晶片。目前计划还处于初步阶段，仍存变数。三星拟今年开始建厂，最快2023年开始运作，预算投资超过100亿美元。

三星此次在美国设厂，将与台积电展开正面交锋。去年5月，台积电宣布投资120亿美元，在亚利桑那州兴建5纳米晶片厂。