涉嫌泄露半导体技术机密 三星前员工被起诉

（首尔3日综合电）三星电子及其合作厂商的前任员工因涉嫌向中国公司泄露半导体关键技术，3日被提起逮捕公诉。

首尔中央地方检察厅以涉嫌违反《产业技术保护法》为由，对三星电子前任部长金某和合作厂商A公司前任部长方某向法院提起逮捕公诉。

检方表示，金某涉嫌非法泄露三星电子18纳米级DRAM芯片工艺信息这一国家关键技术，以供中国企业长鑫存储技术有限公司（CXMT）进行产品开发。

检方指控金某2016年跳槽到长鑫存储后，泄露了半导体“沉积技术”相关资料和7项关键工艺的相关技术资料，并以此非法收受数百亿韩元的财物。此外，金某还以税后5亿多韩元的报酬挖角三星电子及相关公司的20多名技术人员。

方某涉嫌与金某串通，将半导体设备供应商A公司的设计技术资料非法转让给长鑫存储。金某和方某于上月15日被批捕，检方计划对其技术泄露罪行展开进一步调查。